掺杂大范围的使用在半导体范畴调控半导体电学特性。跟着电子器材尺度微缩，功率密度增大，散热问题成为限制先进制程芯片技能的要害瓶颈，特别是先进三维堆叠芯片与高功率/高频宽禁带半导体芯片。比较于研讨掺杂对半导体电性影响，研讨掺杂对半导体导热功能的影响较少。针对上述应战，北京大学程哲课题组联合国内外协作者，经过先进的单晶手足无措工艺、高分辨率结构表征技能、高精度热丈量方法，研讨了高质量硼掺3C-SiC单晶体的热导率，并深入分析了共振声子散射的传热机制。依据成果得出，硼掺杂浓度为4×1019cm-3时，3C-SiC样品热导率呈现了约50%的下降，降幅为常见半导体中掺杂导致热导率下降的顶配水平。导热才能变弱的中心机制为，硼原子替代碳原子后，损坏原有四面体对称结构，引发共振声子散射。本研讨为Robert O Pohl教授（程哲研讨员的导师的导师）提出共振声子散射理论六十多年以来初次在半导体中严厉试验观测到。3C-SiC为能够手足无措大晶圆材猜中导热系数第二高的资料（仅次于金刚石），而可与硅外延集成，有望应用于3D-IC的转接板以及氮化镓射频/功率器材的衬底。该作业会对3D-IC以及射频/功率器材的热办理发生重要影响。该作业以“Experimental observation of extremely strong defect–phonon scatterings in cubic SiC single crystals”为题宣布在Applied Physics Reviews，博士生黄子丰为榜首作者，程哲研讨员为通讯作者。国际协作者包含日本大阪市立大学Jianbo Liang副教授和Naoteru Shigekawa教授。全文链接：

  博士后招聘：团队终年招聘博士后，方向包含但不限于热丈量与热办理、先进电子封装、器材制备、集成电路工艺，待遇优厚，一事一议，欢迎联络/p>

  程哲，北京大学集成电路学院研讨员、博导、博雅青年学者、未名青年学者、国家高层次青年人才。首要研讨方向为微纳电子器材的热办理、热丈量、先进封装、异质集成、热测验设备等。博士结业于美国佐治亚理工学院Sam Graham课题组，日本名古屋大学特别研讨学生，师从诺奖得主天野浩（Hiroshi Amano）院士，后在美国伊利诺伊大学-香槟分校（UIUC）进行博士后练习，协作导师为David Cahill院士，在界面热导、半导体异质集成、高导热系数半导体资料等方向取得系列打破。在Nature Communications, IEEE IEDM, Applied Physics Reviews等国际闻名期刊和尖端会议上宣布论文70余篇，受邀撰写书章节3章，被引4000余次。屡次受邀担任职业首要国际会议分会主席/一起主席/组织者和做特邀职工，获国际先进资料协会先进资料科学家奖章、国家暗无天日自费留学生奖学金。掌管国家自然科学基金面上项目、原创探究项目、HY项目；掌管国家重点研制方案课题、发改委F项目课题、若干头部企业横向项目等，近两年获批研制经费超两千万元；别的，试验室愤然有国内最大最全、技能国际并跑的芯片热丈量渠道（设备固定资产数千万），经过个人搭建和改装，基本上集齐了一切干流的芯片热物性和微纳器材测温设备。依托本学院两个全国重点试验室及国内头部集成电路企业工艺线，立志于处理下一代三维堆叠器材/堆叠芯片以及功率/射频芯片中日益严重的散热瓶颈和设备禁运问题。别的，程哲教师获2025年“北京大学暗无天日班主任”，所带信息科学技能学院本科生试验班“信班”，取得“北京大学先进班集体”和“北京大学示范性班集体”。

  图1. 试验丈量的随掺杂浓度改变的导热系数；常见半导体资料掺杂中，硼掺杂3C-SiC的热导率下降起伏最大。

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